VNS1NV04DPTR-E vartų tvarkyklės OMNIFET POWER MOSFET 40V 1,7 A
♠ Produkto aprašymas
| Produkto atributas | Atributo vertė |
| Gamintojas: | STMikroelektronika |
| Produkto kategorija: | Vartų vairuotojai |
| Produktas: | MOSFET vartų tvarkyklės |
| Tipas: | Žema pusė |
| Montavimo stilius: | SMD/SMT |
| Pakuotė / dėklas: | SOIC-8 |
| Vairuotojų skaičius: | 2 Vairuotojas |
| Išėjimų skaičius: | 2 Išvestis |
| Išėjimo srovė: | 1,7 A |
| Maitinimo įtampa – maks.: | 24 V |
| Pakilimo laikas: | 500 ns |
| Rudens laikas: | 600 ns |
| Minimali darbinė temperatūra: | -40 C |
| Maksimali darbinė temperatūra: | + 150 C |
| Serija: | VNS1NV04DP-E |
| Kvalifikacija: | AEC-Q100 |
| Pakuotė: | Ritė |
| Pakuotė: | Nukirpkite juostą |
| Pakuotė: | MouseReel |
| Prekinis ženklas: | STMikroelektronika |
| Jautrus drėgmei: | Taip |
| Darbinė tiekimo srovė: | 150 uA |
| Produkto tipas: | Vartų vairuotojai |
| Gamyklos pakuotės kiekis: | 2500 |
| Subkategorija: | PMIC – energijos valdymo IC |
| Technologija: | Si |
| Vieneto svoris: | 0,005291 uncijos |
♠ OMNIFET II visiškai automatiškai apsaugotas Power MOSFET
VNS1NV04DP-E yra įrenginys, sudarytas iš dviejų monolitinių OMNIFET II lustų, esančių standartinėje SO-8 pakuotėje.OMNIFET II sukurti naudojant STMicroelectronics VIPower™ M0-3 technologiją: jie skirti pakeisti standartinius galios MOSFET nuo nuolatinės srovės iki 50 kHz.Įmontuotas terminis išjungimas, tiesinės srovės ribojimas ir viršįtampio spaustukas apsaugo lustą atšiaurioje aplinkoje.
Gedimų grįžtamasis ryšys gali būti aptiktas stebint įtampą prie įvesties kaiščio.
• Tiesinės srovės ribojimas
• Terminis išjungimas
• Apsauga nuo trumpojo jungimo
• Integruotas spaustukas
• Maža srovė, imama iš įvesties kaiščio
• Diagnostinis grįžtamasis ryšys per įvesties kaištį
• ESD apsauga
• Tiesioginis priėjimas prie galios MOSFET vartų (analoginis vairavimas)
• Suderinamas su standartiniu galios MOSFET
• Atitinka 2002/95/EB Europos direktyvą
