NVH820S75L4SPB IGBT moduliai 750V, 820A SSD
♠ Produkto aprašymas
| Produkto atributas | Atributo vertė |
| Gamintojas: | onsemi |
| Produkto kategorija: | IGBT moduliai |
| Produktas: | IGBT silicio moduliai |
| Konfigūracija: | 6-Paketas |
| Kolektorius- emiterio įtampa VCEO Max: | 750 V |
| Kolektoriaus-emiterio prisotinimo įtampa: | 1,3 V |
| Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C: | 600 A |
| Vartų emiterio nuotėkio srovė: | 500 uA |
| Pd – galios išsklaidymas: | 1000 W |
| Pakuotė / dėklas: | 183AB |
| Minimali darbinė temperatūra: | -40 C |
| Maksimali darbinė temperatūra: | + 175 C |
| Pakuotė: | Padėklas |
| Prekinis ženklas: | onsemi |
| Maksimali vartų emiterio įtampa: | 20 V |
| Montavimo stilius: | SMD/SMT |
| Produkto tipas: | IGBT moduliai |
| Gamyklos pakuotės kiekis: | 4 |
| Subkategorija: | IGBT |
| Technologija: | Si |
| Prekinis pavadinimas: | VE-Trac |
| Vieneto svoris: | 2,843 svaro |
♠ Automobilių 750 V, 820 A vienos pusės tiesioginio aušinimo 6 dalių maitinimo modulis VE-Trac tiesioginis modulis NVH820S75L4SPB
NVH820S75L4SPB yra maitinimo modulis iš VE−Trac Direct labai integruotų galios modulių šeimos, turintis pramonės standartą, skirtą hibridiniams (HEV) ir elektrinių transporto priemonių (EV) traukos keitikliams.
Modulis integruoja šešis „Field Stop 4“ (FS4) 750 V „Surrow Mesa“ IGBT 6 paketų konfigūracijoje, kuri pasižymi dideliu srovės tankiu, tuo pačiu užtikrina tvirtą trumpojo jungimo apsaugą ir padidintą blokavimo įtampą.Be to, FS4 750 V siauras mesa IGBT rodo mažus galios nuostolius esant lengvesnėms apkrovoms, o tai padeda pagerinti bendrą sistemos efektyvumą naudojant automobilius.
Kad surinkimas būtų lengvesnis ir patikimesnis, į maitinimo modulio signalų gnybtus integruoti naujos kartos presuojami kaiščiai.Be to, maitinimo modulio pagrindo plokštėje yra optimizuotas kaiščių aušintuvas.
• Tiesioginis aušinimas su integruotu kaiščių aušintuvu
• Itin mažas sklaidos induktyvumas
• Tvjmax = 175°C Nepertraukiamas veikimas
• Maži VCESAT ir perjungimo nuostoliai
• Automotive Grade FS4 750 V Narrow Mesa IGBT
• Greito atkūrimo diodų lustų technologijos
• 4,2 kV izoliuotas DBC substratas
• Lengva integruoti 6 paketų topologija
• Šis įrenginys yra be Pb ir yra suderinamas su RoHS
• Hibridinių ir elektrinių transporto priemonių traukos keitiklis
• Didelės galios keitikliai
