TLE8888QK Specializuotas energijos valdymas – PMIC ENGINECONTROL_IC
♠ Produkto aprašymas
| Produkto atributas | Atributo reikšmė |
| Gamintojas: | Infineon |
| Produkto kategorija: | Energijos valdymo specialistas – PMIC |
| Serija: | TLE8888 |
| Tipas: | Variklio valdymas |
| Montavimo stilius: | SMD/SMT |
| Pakuotė/dėklas: | LQFP-100 |
| Išėjimo srovė: | 15 mA |
| Įėjimo įtampos diapazonas: | 9 V iki 28 V |
| Išėjimo įtampos diapazonas: | Nuo 4 V iki 7,5 V |
| Minimali darbinė temperatūra: | - 40 °C |
| Maksimali darbinė temperatūra: | + 150 °C |
| Pakuotė: | Ritė |
| Prekės ženklas: | Infineon Technologies |
| Įėjimo įtampa, maks.: | 28 V |
| Įėjimo įtampa, min.: | 9 V |
| Maksimali išėjimo įtampa: | 7,5 V |
| Darbinė maitinimo įtampa: | 9 V iki 28 V |
| Produktas: | PMIC |
| Produkto tipas: | Energijos valdymo specialistas – PMIC |
| Subkategorija: | PMIC - energijos valdymo IC |
♠ Variklio mašinos sistemos integrinė grandis
TLE8888-1QK yra U formos mikroschema, tinkama automobilių variklių valdymo sistemoms. Ji atlieka pagrindines funkcijas, skirtas maitinti mikrovaldiklį ir ECU, užmegzti ryšį sistemoje ir išorėje bei valdyti tipinius EMS pavaros mechanizmus. Be to, ji valdo pagrindinę relės tvarkyklę.
• Įtampos išankstinis reguliatorius
• Integruotas 5 V reguliatorius
• 2 integruoti 5 V sekikliai
• Budėjimo režimo reguliatorius
• Atskiras vidinis maitinimas
• Įtampos stebėjimas
• Didelės spartos CAN sąsaja su pažadinimu magistrale
• LIN sąsaja su didelio greičio režimu K linijos veikimui
• Kintamo magnetinio pasipriešinimo jutiklio sąsaja
• Mikrosekundinio kanalo sąsaja (MSC) su žemos įtampos diferencialinio signalo (LVDS) įėjimų kontaktais, skirtais mažam elektromagnetiniam iškraipymui (EME)
• SPI ir tiesioginio valdymo įėjimai užtikrina didelį lankstumą
• Pagrindinės relės tvarkyklė
• Užvedimo raktelio aptikimas su raktelio išjungimo uždelsimo išvestimi
• Žadinimo įvestis • Variklio išjungimo laikmatis
• 4 žemosios pusės galios pakopos, specialiai skirtos purkštukams valdyti (Ron = 550 mΩ) su įjungimo įėjimu
• 3 žemosios pusės galios pakopos (Ron = 350 mΩ)
• 6 „push pull“ etapai, skirti valdyti integruotą MOSFET tranzistorių su grįžtamuoju ryšiu
• 7 žemosios pusės galios pakopos, specialiai skirtos relėms valdyti (Ron = 1,5 Ω), viena iš jų su uždelsto išjungimo funkcija
• 4 pusiau tiltelio pakopos, užtikrinančios didelį lankstumą, viena iš jų su uždelsto išjungimo funkcija
• 4 „push pull“ etapai, skirti valdyti integruotą ir išorinį IGBT su atgalinio maitinimo slopinimu ir aukštos įtampos galimybėmis
• Atviros apkrovos, trumpojo jungimo su GND ir trumpojo jungimo su BAT diagnostika
• Apsauga nuo perkaitimo ir trumpojo jungimo su baterijomis
• Stebėjimo stebėjimo modulis
• AEC kvalifikacija
