SI7119DN-T1-GE3 MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
♠ Produkto aprašymas
Produkto atributas | Atributo reikšmė |
Gamintojas: | Višajus |
Produkto kategorija: | MOSFET |
RoHS: | Išsami informacija |
Technologija: | Si |
Montavimo stilius: | SMD/SMT |
Pakuotė/dėklas: | PowerPAK-1212-8 |
Tranzistoriaus poliškumas: | P kanalas |
Kanalų skaičius: | 1 kanalas |
Vds - išleidimo-šaltinio gedimo įtampa: | 200 V |
Id - Nuolatinė išleidimo srovė: | 3,8 A |
Rds įjungtas - drenažo-šaltinio varža: | 1,05 omo |
Vgs - vartų-šaltinio įtampa: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - vartų-šaltinio slenkstinė įtampa: | 2 V |
Qg - Vartų mokestis: | 25 nC |
Minimali darbinė temperatūra: | - 50 °C |
Maksimali darbinė temperatūra: | + 150 °C |
Pd - galios išsklaidymas: | 52 W |
Kanalo režimas: | Patobulinimas |
Prekinis pavadinimas: | TrenchFET |
Pakuotė: | Ritė |
Pakuotė: | Nukirpta juosta |
Pakuotė: | MouseRiel |
Prekės ženklas: | Vishay puslaidininkiai |
Konfigūracija: | Vienvietis |
Rudens laikas: | 12 ns |
Tiesioginis laidumas - min.: | 4 S |
Ūgis: | 1,04 mm |
Ilgis: | 3,3 mm |
Produkto tipas: | MOSFET |
Pakilimo laikas: | 11 ns |
Serija: | SI7 |
Gamyklinės pakuotės kiekis: | 3000 |
Subkategorija: | MOSFET tranzistoriai |
Tranzistoriaus tipas: | 1 P kanalas |
Tipinis išjungimo uždelsimo laikas: | 27 ns |
Tipinis įjungimo uždelsimo laikas: | 9 ns |
Plotis: | 3,3 mm |
Dalies # slapyvardžiai: | SI7119DN-GE3 |
Vieneto svoris: | 1 g |
• Be halogenų Pagal IEC 61249-2-21 Yra
• „TrenchFET®“ galios MOSFET tranzistorius
• Mažo dydžio ir 1,07 mm profilio „PowerPAK®“ korpusas, pasižymintis mažu šiluminiu atsparumu
• 100 % UIS ir Rg patikrinta
• Aktyvus spaustukas tarpiniuose DC/DC maitinimo šaltiniuose