IKW50N65EH5XKSA1 IGBT tranzistoriai PRAMONĖ 14
♠ Produkto aprašymas
| Produkto atributas | Atributo reikšmė |
| Gamintojas: | Infineon |
| Produkto kategorija: | IGBT tranzistoriai |
| Technologija: | Si |
| Pakuotė / dėklas: | TO-247-3 |
| Montavimo stilius: | Per skylę |
| Konfigūracija: | Vienvietis |
| Kolektoriaus-emiterio įtampa VCEO maks.: | 650 V |
| Kolektoriaus-emiterio prisotinimo įtampa: | 1,65 V |
| Maksimali vartų emiterio įtampa: | 20 V |
| Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 °C temperatūrai: | 80 A |
| Pd - galios išsklaidymas: | 275 W |
| Minimali darbinė temperatūra: | - 40 °C |
| Maksimali darbinė temperatūra: | + 175 °C |
| Serija: | Tranšėjų sustabdymas IGBT5 |
| Pakuotė: | Vamzdis |
| Prekės ženklas: | Infineon Technologies |
| Vartų-emiterio nuotėkio srovė: | 100 nA |
| Ūgis: | 20,7 mm |
| Ilgis: | 15,87 mm |
| Produkto tipas: | IGBT tranzistoriai |
| Gamyklinės pakuotės kiekis: | 240 |
| Subkategorija: | IGBT tranzistoriai |
| Prekinis pavadinimas: | TRENCHSTOP |
| Plotis: | 5,31 mm |
| Dalies # slapyvardžiai: | IKW50N65EH5 SP001257944 |
| Vieneto svoris: | 0,213383 uncijos |
Didelės spartos H5 technologijos pasiūlymas
• Geriausias savo klasėje efektyvumas kietojo perjungimo ir rezonansinių topologijų srityje
• Ankstesnės kartos IGBT tranzistorių keitimas naudojant „Plugandplay“ principą
• 650 V pramušimo įtampa
• Mažas įkrovimasQG
• IGBT su pilno galingumo RAPID1 greito ir minkšto antilygiagretaus diodo
• Maksimali sandūros temperatūra 175 °C
• Kvalifikuota pagal JEDEC tikslinėms reikmėms
•Pb be švino padengimas; atitinka RoHS reikalavimus
• Pilnas produktų spektras ir PSpice modeliai: http://www.infineon.com/igbt/
• Nepertraukiamo maitinimo šaltiniai
• Saulės energijos keitikliai
• Suvirinimo keitikliai
• Vidutinio ir aukšto diapazono perjungimo dažnio keitikliai
